STN3NF06 与 BSP318S H6327 区别
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规格信息
型号	STN3NF06	BSP318S H6327
吃瓜编号	A3-STN3NF06	A-BSP318S H6327
制造商	STMicroelectronics	Infineon Technologies
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	MOSFET	小信号MOSFET
描述	N-Channel 60 V 0.1 Ohm STripFET II Power MosFet SMT - SOT-223
数据表	STN3NF06.pdf	Infineon-BSP318S.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	-	3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	90mΩ
漏源极电压Vds	-	60V
产品特性	-	车规
Pd-功率耗散(Max)	-	1.8W
Qg-栅极电荷	-	14nC
栅极电压Vgs	-	10V
正向跨导 - 最小值	-	2.4S
典型关闭延迟时间	-	20ns
FET类型	-	N-Channel
封装/外壳	SOT-223	-
连续漏极电流Id	-	2.6A
工作温度	-	-55°C~150°C
通道数量	-	1Channel
配置	-	Single
系列	-	BSP318
长度	-	6.5mm
下降时间	-	15ns
典型接通延迟时间	-	12ns
高度	-	1.6mm
库存与单价
库存	4,000	0
工厂交货期	5 - 7天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STN3NF06	STMicro	数据手册	MOSFET	SOT-223	暂无价格	4,000	当前型号
IRLL014NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223	暂无价格	2,500	对比
IRFL024ZTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223	暂无价格	2,500	对比
NTF3055-100T1G	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A	暂无价格	0	对比
IRFL014NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	160mΩ@1.9A,10V ±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 2.7A SOT-223	暂无价格	0	对比
BSP318S H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	0	对比